真空镀膜技术的一般术语及工艺

2.5磁控溅射magnetronsputtering：借助于靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，来增强电离效率，增加离子密度和能量，因而可在低电压，大电流下取得很高溅射速率。

2.6等离子体化学气相沉积;PCVDplasmachemistryvapordeposition：通过放电产生的等离子体促进气相化学反应，在低温下，在基片上制取膜层的一种方法。

2.7空心阴极离子镀HCDhollowcathodedischargedeposition：利用空心阴极发射大量的电子束，使坩埚内镀膜材料蒸发并电离，在基片上的负偏压作用下，离子具有较大能量，沉积在基片表面上的一种镀膜方法。

2.8电弧离子镀arcdischargedeposition：以镀膜材料作为靶极，借助于触发装置，使靶表面产生弧光放电，镀膜材料在电弧作用下，产生无熔池蒸发并沉积在基片上的一种真空镀膜方法。

3专用部件

3.1镀膜室coatingchamber：真空镀膜设备中实施实际镀膜过程的部件

3.2蒸发器装置evaporatordevice：真空镀膜设备中包括蒸发器和全部为其工作所需要的装置(例如电能供给、供料和冷却装置等)在内的部件。

3.3蒸发器evaporator：蒸发直接在其内进行蒸发的装置,例如小舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等等,必要时还包括蒸发材料本身。

3.4直接加热式蒸发器evaporatorbydirectheat：蒸发材料本身被加热的蒸发器。

3.5间接加热式蒸发器evaporatorbyindirectheat：蒸发材料通过热传导或热辐射被加热的蒸发器。

3.6蒸发场evaporationfield：由数个排列的蒸发器加热相同蒸发材料形成的场。

3.7溅射装置sputteringdevice：包括靶和溅射所必要的辅助装置(例如供电装置,气体导入装置等)在内的真空溅射设备的部件。

3.8靶target：用粒子轰击的面。本标准中靶的意义就是溅射装置中由溅射材料所组成的电极。

3.9挡板shutter：用来在时间上和(或)空间上限制镀膜并借此能达到一定膜厚分布的装置。挡板可以是固定的也可以是活动的。

3.10时控挡板timingshutter：在时间上能用来限制镀膜,因此从镀膜的开始、中断到结束都能按规定时刻进行的装置。

3.11掩膜mask：用来遮盖部分基片,在空间上能限制镀膜的装置。

3.12基片支架substrateholder：可直接夹持基片的装置,例如夹持装置,框架和类似的夹持器具。

3.13夹紧装置clamp：在镀膜设备中用或不用基片支架支承一个基片或几个基片的装置,例如夹盘,夹鼓,球形夹罩,夹篮等。夹紧装置可以是固定的或活动的(旋转架,行星齿轮系等)。

3.14换向装置reversingdevice：在真空镀膜设备中,不打开设备能将基片、试验玻璃或掩膜放到理想位置上的装置(基片换向器,试验玻璃换向器,掩膜换向器)。

3.15基片加热装置substrateheatingdevice：在真空镀膜设备中,通过加热能使一个基片或几个基片达到理想温度的装置。

3.16基片冷却装置substratecoldingdevice：在真空镀膜设备中,通过冷却能使一个基片或几个基片达到理想温度的装置。

4真空镀膜设备

4.1真空镀膜设备vacuumcoatingplant：在真空状态下制取膜层的设备。

4.1.1真空蒸发镀膜设备vacuumevaporationcoatingplant：借助于蒸发进行真空镀膜的设备。

4.1.2真空溅射镀膜设备vacuumsputteringcoatingplant：借助于真空溅射进行真空镀膜的设备。

4.2连续镀膜设备continuouscoatingplant：被镀膜物件(单件或带材)连续地从大气压经过压力梯段进入到一个或数个镀膜室，再经过相应的压力梯段，继续离开设备的连续式镀膜设备。

4.3半连续镀膜设备semi-continuouscoatingplant：被镀物件通过闸门送进镀膜室并从镀膜室取出的真空镀膜设备。