真空镀膜技术的一般术语及工艺(1)
1.1真空镀膜vacuumcoating：在处于真空下的基片上制取膜层的一种方法。
1.2基片substrate：膜层承受体。
1.3试验基片testingsubstrate：在镀膜开始、镀膜过程中或镀膜结束后用作测量和(或)试验的基片。
1.4镀膜材料coatingmaterial：用来制取膜层的原材料。
1.5蒸发材料evaporationmaterial：在真空蒸发中用来蒸发的镀膜材料。
1.6溅射材料sputteringmaterial：有真空溅射中用来溅射的镀膜材料。
1.7膜层材料(膜层材质)filmmaterial：组成膜层的材料。
1.8蒸发速率evaporationrate：在给定时间间隔内,蒸发出来的材料量,除以该时间间隔
1.9溅射速率sputteringrate：在给定时间间隔内,溅射出来的材料量,除以该时间间隔。
1.10沉积速率depositionrate：在给定时间间隔内,沉积在基片上的材料量,除以该时间间隔和基片表面积。
1.11镀膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向与被镀表面法线之间的夹角。
2工艺
2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使镀膜材料蒸发的真空镀膜过程。
2.1.1同时蒸发simultaneousevaporation：用数个蒸发器把各种蒸发材料同时蒸镀到基片上的真空蒸发。
2.1.2蒸发场蒸发evaporationfieldevaporation：由蒸发场同时蒸发的材料到基片上进行蒸镀的真空蒸发(此工艺应用于大面积蒸发以获得到理想的膜厚分布)。
2.1.3反应性真空蒸发reactivevacuumevaporation：通过与气体反应获得理想化学成分的膜层材料的真空蒸发。
2.1.4蒸发器中的反应性真空蒸发reactivevacuumevaporationinevaporator：与蒸发器中各种蒸发材料反应,而获得理想化学成分膜层材料的真空蒸发。
2.1.5直接加热的蒸发directheatingevaporation：蒸发材料蒸发所必须的热量是对蒸发材料(在坩埚中或不用坩埚)本身加热的蒸发。
2.1.6感应加热蒸发inducedheatingevaporation：蒸发材料通过感应涡流加热的蒸发。
2.1.7电子束蒸发electronbeamevaporation：通过电子轰击使蒸发材料加热的蒸发。
2.1.8激光束蒸发laserbeamevaporation：通过激光束加热蒸发材料的蒸发。
2.1.9间接加热的蒸发indirectheatingevaporation：在加热装置(例如小舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等)中使蒸发材料获得蒸发所必须的热量并通过热传导或热辐射方式传递给蒸发材料的蒸发。
2.1.10闪蒸flashevaportion：将极少量的蒸发材料间断地做瞬时的蒸发。
2.2真空溅射vacuumsputtering：在真空中，惰性气体离子从靶表面上轰击出原子(分子)或原子团的过程。
2.2.1反应性真空溅射reactivevacuumsputtering：通过与气体的反应获得理想化学成分的膜层材料的真空溅射。
2.2.2偏压溅射biassputtering：在溅射过程中，将偏压施加于基片以及膜层的溅射。
2.2.3直流二级溅射directcurrentdiodesputtering：通过二个电极间的直流电压，使气体自持放电并把靶作为阴极的溅射。
2.2.4非对称性交流溅射asymmtricalternatecurrentsputtering：通过二个电极间的非对称性交流电压，使气体自持放电并把靶作为吸收较大正离子流的电极。
2.2.5高频二极溅射highfrequencydiodesputtering：通过二个电极间的高频电压获得高频放电而使靶极获得负电位的溅射。
2.2.6热阴极直流溅射(三极型溅射)hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，气体放电所产生的离子，由在阳极和阴极(靶)之间所施加的电压加速而轰击靶的溅射。
2.2.7热阴极高频溅射(三极型溅射)hotcathodehighfrequencysputtering：借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，气体放电产生的离子，在靶表面负电位的作用下加速而轰击靶的溅射。
2.2.8离子束溅射ionbeamsputtering：利用特殊的离子源获得的离子束使靶的溅射。
2.2.9辉光放电清洗glowdischargecleaning：利用辉光放电原理，使基片以及膜层表面经受气体放电轰击的清洗过程。
2.3物理气相沉积;PVDphysicalvapordeposition：在真空状态下，镀膜材料经蒸发或溅射等物理方法气化，沉积到基片上的一种制取膜层的方法。
2.4化学气相沉积;CVDchemicalvapordeposition：一定化学配比的反应气体，在特定激活条件下(通常是一定高的温度)，通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的一种方法。